半導体装置およびその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-054922
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251433
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】配線パターンが微小化されて上層配線と下層配線との接続用金属の太さが細くなっても、確実に電気的に接続することができる上層配線と下層配線との接続構造およびその半導体装置の製法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に絶縁膜2を介して下層配線3と層間絶縁膜4とが設けられている。そして、層間絶縁膜4および前記下層配線3にコンタクトホール4aが設けられ、そのコンタクトホール4a内に接続用金属5aが、下層配線3のコンタクトホール4aにより露出する側壁に接触するように埋め込まれている。さらに、その接続用金属5aと電気的に接続して前記層間絶縁膜4上に上層配線5が設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して設けられる下層配線と、該下層配線上に設けられる層間絶縁膜と、該層間絶縁膜および前記下層配線に設けられるコンタクトホールと、該コンタクトホール内に埋め込まれ、前記下層配線のコンタクトホールにより露出する側壁に接触して設けられる接続用金属と、該接続用金属と電気的に接続して前記層間絶縁膜上に設けられる上層配線とからなる上層配線と下層配線との接続構造を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/90 B , H01L 27/04 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-124857
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-291099 出願人：富士通株式会社
特開平3-257869

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