特許
J-GLOBAL ID：200903053779274227
気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-258009
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102461
出願日： 1995年10月04日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 膜厚及び混晶比が均一な大面積のIII族-窒素化合物半導体薄膜を形成することができる気相成長装置を得る。【解決手段】 原料ガスの吹き出し口を、基板表面を含む平面から高さ方向に向かって、第1の有機金属化合物ガスの吹き出し口6a,水素化物化合物ガスの吹き出し口5a,第2の有機金属化合物ガスの吹き出し口26a,バリアガスの吹き出し口7aの順で配置した。
請求項（抜粋）：
基板を載置する載置部が内部に設けられている反応室を有し、該反応室内に導入された有機金属化合物ガスと水素化物化合物ガスとから、該載置部上に載置された基板の表面に化合物半導体膜を気相成長する装置であって、該反応室は、該反応室内部にそれぞれ独立して設けられた、原料ガスとして該有機金属化合物ガスを吹き出す2つ以上の第1の吹き出し口と、該反応室内部に該個々の第1の吹き出し口と独立して設けられた、原料ガスとして該水素化物化合物ガスを吹き出す1つあるいは複数の第2の吹き出し口とを有し、該各吹き出し口から吹き出された原料ガスが、該載置部上の基板の表面とほぼ平行に流れるよう構成されており、該反応室内部に設けられている第1及び第2の吹き出し口の数は、合計で6個以下となっている気相成長装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C30B 25/14
, H01L 21/285
, H01L 33/00
H01L 21/205
, C23C 16/44 D
, C30B 25/14
, H01L 21/285 C
, H01L 33/00 C
