特許

J-GLOBAL ID：200903053779822496

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中尾 宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-107416
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303218
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、V溝を利用して微細なゲート電極を形成するに際し、寄生容量を低く抑え、且つ、抵抗も小さく維持できるようにする。【解決手段】 ソース電極21がコンタクトする半導体領域とドレイン電極22がコンタクトする半導体領域との間に在って且つ先端の頂角を狭くする為に細く絞られてチャネル層13或いはその近傍に達するV溝と、該V溝内の少なくとも細く絞られたV溝を電極材料であるNi(Inx Al1-x )で埋めて構成されたゲート電極19とを備える。

請求項（抜粋）：

ソースとドレインとの間に在って且つ先端の頂角を狭くする為に細く絞られてチャネル層或いはその近傍に達するV溝と、該V溝内の少なくとも細く絞られた部分を電極材料で埋めて構成されたゲート電極とを備えてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/778

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/44 C ,  H01L 29/80 H