半導体受光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-080687
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267620
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】波尾の発生が低減された半導体受光素子を提供する。【解決手段】半導体受光素子1aは、第1導電型領域20aを有する第1のInP層12と、第2導電型の第2のInP層16と、これらの層12、16の間に設けられたInGaAs受光層14とを備える。第2導電型のInP層16は、1×1017cm-3以上の最大キャリア濃度を有する。このキャリア濃度のため、印加される逆バイアスによってInP層16内に伸びる空乏層が十分に小さくなる。これによって、この空乏層は、電子-正孔対が生成される受光層14内に広がる。故に、印加された電圧が発生キャリアのドリフトに十分に利用可能になる。

請求項（抜粋）：

第1導電型領域を有する第1のInP層と、第2導電型領域を有する第2のInP層と、前記第1のInP層と前記第2のInP層との間に設けられたInGaAs受光層と、を備え、前記第2のInP層の前記第2導電型領域は、1×1017cm-3以上の最大キャリア濃度を有する、半導体受光素子。

Fターム (14件)：

5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA03 , 5F049NA15 , 5F049NB01 , 5F049PA04 , 5F049PA09 , 5F049PA14 , 5F049QA03 , 5F049SE05 , 5F049SS04 , 5F049TA12 , 5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-073234 出願人：株式会社東芝
半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-232358 出願人：日本鉱業株式会社
半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-232359 出願人：日本鉱業株式会社

全件表示

前のページに戻る