特許
J-GLOBAL ID：200903053788497530
ろう材料層を有する半導体基体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-047059
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012507
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 シリコン半導体基体を、保持体材料への付着性を犠牲にすることなしにウェハの曲げが顕著に減ぜられるように金属化する。【解決手段】 金属支持板2と、ろう付け前にシリコンから出発して支持板に向かう方向にアルミニウム合金層3および拡散障壁層4を含んでいる一連の金属層を介してろう付けされるシリコンから成る半導体基体1において、拡散障壁層にろう材料層5が被覆される。
請求項（抜粋）：
金属製支持板(2)と、ろう付け前にシリコンから出発して支持板に向かう方向にアルミニウム合金層(3)および拡散障壁層(4)を含んでいる一連の金属層を介してろう付けされるシリコンから成る半導体基体(1)において、拡散障壁層にろう材料層(5)が被覆されることを特徴とするう材料層を有する半導体基体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, H01L 21/52 B
