特許

J-GLOBAL ID：200903053789204910

透明導電膜及びその形成方法

発明者： 大野 俊之 ,  茶原 健一 ,  小園 裕三
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055393
公開番号（公開出願番号）：特開平7-262829
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は薄膜トランジスタ製造プロセスに適合した低温条件で透明度を損なわずに比抵抗1×10-4Ωcm以下の透明導電膜を得ることである。【構成】クリプトンを含むガスあるいはキセノンを含むガスを用いたスパッタリング法により特定の結晶面が基板表面に対して優先的に配向している透明導電膜を形成した。また、該スパッタリング法によってキャリア密度または移動度の異なる二つ以上の層を交互に積層した透明導電膜を形成した。【効果】透明導電膜結晶粒内や結晶粒界におけるキャリアの散乱低減の効果により、可視光域で透明な比抵抗1×10-4Ωcmの導電膜を形成することができた。

請求項（抜粋）：

1種類以上のカチオン及び酸素を含有し、500nmから800nmの波長の光に対する70%以上の透過率と比抵抗1×10-2Ωcm以下の導電性を有する薄膜において、該薄膜がキセノンを含むガスを用いたスパッタリングにより形成されたことを特徴とする透明導電膜。

IPC (5件)：

H01B 5/14 ,  C23C 14/34 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/22 ,  H01B 13/00 503