特許

J-GLOBAL ID：200903053789440770

半導体装置およびその製造方法

発明者： 三浦 成久 ,  大石 敏之 ,  吹田 宗義 ,  南條 拓真 ,  阿部 雄次 ,  高見 哲也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391123
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197642
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 低コストでかつ高い信頼性を有するとともに、III-V族半導体基板と電極とのオーミック接触を実現した半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置1は、窒素を含むIII-V族半導体を有する基板2と、基板2の表面に形成された不純物拡散領域4と、基板2の表面において、不純物拡散領域4が形成された領域以外の領域上に形成され、不純物拡散領域4に含まれる不純物と同じ不純物を含む基板保護膜3と、不純物拡散領域4上に配置され、不純物拡散領域4と接触する電極5とを備える。

請求項（抜粋）：

窒素を含むIII-V族半導体を有する基板と、前記基板の表面に形成された不純物拡散領域と、前記基板の表面において、前記不純物拡散領域が形成された領域以外の領域上に形成され、前記不純物拡散領域に含まれる不純物と同じ不純物を含む基板保護膜と、前記不純物拡散領域と接触する電極とを備える、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/812

FI (6件)：

H01L 21/22 C ,  H01L 21/22 S ,  H01L 21/225 C ,  H01L 21/225 D ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/80 F

Fターム (36件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104DD68 ,  4M104EE09 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR04 ,  5F102GR15 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC05 ,  5F102HC10 ,  5F102HC18 ,  5F102HC21