特許
J-GLOBAL ID:200903053790632216
窒化ガリウム結晶の製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-090673
公開番号(公開出願番号):特開平10-287496
出願日: 1997年04月09日
公開日(公表日): 1998年10月27日
要約:
【要約】【課題】 平坦性、結晶性に優れた窒化ガリウム厚膜結晶を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム結晶の製造工程に、ガリウムを含むガス雰囲気中でシリコン基板1を加熱する第一の工程と、前記シリコン基板1上に第一の窒化ガリウム3を形成する第二の工程と、前記第一の窒化ガリウム3上に前記第一の窒化ガリウム3の形成温度よりも高温で第二の窒化ガリウム4を形成する第三の工程とを備える。
請求項(抜粋):
ガリウムを含むガス雰囲気中で基板を加熱する第一の工程と、前記基板上に第一の窒化ガリウムを形成する第二の工程と、前記第一の窒化ガリウム上に前記第一の窒化ガリウムの形成温度よりも高い温度で第二の窒化ガリウムを形成する第三の工程とを有することを特徴とする窒化ガリウム結晶の製造方法。
IPC (4件):
C30B 29/38
, H01L 21/205
, H01L 29/12
, H01S 3/18
FI (4件):
C30B 29/38 D
, H01L 21/205
, H01S 3/18
, H01L 29/14
引用特許:
出願人引用 (10件)
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特開昭52-023600
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特開昭55-140799
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窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-328221
出願人:株式会社ジャパンエナジー
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審査官引用 (11件)
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特開昭52-023600
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特開昭55-140799
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窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-328221
出願人:株式会社ジャパンエナジー
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特開昭51-050899
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特開昭56-059700
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-079046
出願人:日亜化学工業株式会社
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III族窒化物半導体の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-354572
出願人:豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
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特開昭52-023600
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特開昭55-140799
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特開昭51-050899
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特開昭56-059700
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