特許

J-GLOBAL ID：200903053793054868

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

発明者： 芳賀 秀一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032568
公開番号（公開出願番号）：特開平6-223335
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構成で、かつ低電流下でも磁区を安定に配向させることができようにして、バルクハウゼンノイズの抑制を実現させる。【構成】 薄膜のMR素子1に、バイアス磁界を印加するためのバイアス電流iが供給されるバイアス導体2が形成されたMRヘッドにおいて、MR素子1の表面に対して、バイアス導体2に流れるバイアス電流iの方向(バイアス方向)に沿って研磨加工を行って、MR素子1の表面に、バイアス方向と直交する方向に山の峰が揃ったような木地目形状の粗面3を形成する。この場合、粗面の表面粗さRaを、0.5nm≦Ra≦2.0nmとする。

請求項（抜粋）：

薄膜の磁気抵抗効果素子に、バイアス磁界を印加するためのバイアス電流が供給されるバイアス導体が形成された磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子の表面に、上記バイアス導体を流れるバイアス電流の方向と平行な方向に沿った粗面が形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。