特許

J-GLOBAL ID：200903053797244289

薄膜太陽電池

発明者： 和田 健司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-339960
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151715
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 結晶質半導体中の欠陥密度が少なく,しかも基板基板表面凹凸による光閉込効果が十分に得られる結晶質半導体薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】 凹凸大きさRと凹凸間隔Lとの比R/Lが0.1から1.5の範囲にあるテクスチャー構造を有している基板を用いる。該基板上に,チャネリング粒子が多い条件で第1導電型シリコン結晶質半導体層および真性シリコン結晶質半導体層を形成する。こうして形成された薄膜太陽電池の光電変換素子構造は基板に垂直な方向に柱状に成長している結晶質半導体層により形成されている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に順に積層された第1導電型結晶質半導体層、真性結晶質半導体層および第2導電型半導体層からなる光電変換素子構造とを備え、前記光電変換素子構造を支持する前記基板の表面は、凹凸間隔Lに対する凹凸大きさRの比R/Lが0.1〜1.5の範囲にあるような凹凸によるテクスチャー構造を有しており、かつ前記第1導電型結晶質半導体層および前記真性結晶質半導体層は、前記基板に垂直な方向に柱状に成長している結晶粒により主として構成されている、薄膜太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 X

Fターム (8件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CB01 ,  5F051CB12 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051DA20