特許

J-GLOBAL ID：200903053799786461

窒化珪素質焼結体の製造方法

発明者： 織田 武廣
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-047501
公開番号（公開出願番号）：特開2004-256339
出願日： 2003年02月25日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】反応焼結法による窒化珪素質焼結体の窒化反応時に、温度暴走を抑止し、焼成時の寸法変化が小さく、特に肉厚製品において均一な収縮を示し、かつ機械特性に優れた、低コストの窒化珪素質焼結体を得る。【解決手段】Si粉末もしくはSi粉末と窒化珪素粉末とから成る混合物を主成分とし、周期律表第3a族酸化物を含有してなる成形体を、窒化反応を行って窒化体を得た後に、焼成を行って反応焼結させる方法において、窒化反応の初期に、低窒素分圧下(950kPa)かつ低温(1000°C以上1200°C以下)で窒化反応を行って、成形体中のSi粉末の10%以上70%以下を窒化珪素に変換するとともに、該成形体中の全窒化珪素のα化率を70%以上として、α化率を高くすることによって、最初に生成される窒化珪素のα化率を高くし、後の窒化反応によって生成される窒化珪素も高いα化率のものを得る。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Si粉末もしくはSi粉末と窒化珪素粉末とから成る混合物を主成分とし、周期律表第3a族酸化物を含有してなる成形体を、窒素分圧950kPa以下の雰囲気下で窒化体に変換する窒化工程と、前記窒化工程に引き続いて、窒素を含む非酸化性雰囲気中で前記窒化体の焼成を行い緻密化させる焼成工程とからなり、前記窒化工程は、1000°C以上1200°C以下の温度域で前記成形体中のSi粉末の10%以上70%以下を窒化珪素に変換するとともに、前記成形体中の全窒化珪素のα化率を70%以上とする第1の窒化工程と、前記第1の窒化工程に引き続いて、1100°C以上1500°C以下の温度域で前記成形体中のSi粉末の残部を窒化珪素に変換して窒化体を得るとともに、前記窒化体中の全窒化珪素のα化率を60%以上とする第2の窒化工程とからなることを特徴とする窒化珪素質焼結体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B35/584 ,  C04B35/591

FI (2件)：

C04B35/58 102D ,  C04B35/58 102W

Fターム (24件)：

4G001BA03 ,  4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA12 ,  4G001BA32 ,  4G001BA62 ,  4G001BA85 ,  4G001BB03 ,  4G001BB08 ,  4G001BB09 ,  4G001BB12 ,  4G001BB32 ,  4G001BB85 ,  4G001BC12 ,  4G001BC13 ,  4G001BC45 ,  4G001BC48 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC55 ,  4G001BC57 ,  4G001BD14 ,  4G001BD36 ,  4G001BE02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化珪素質焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-230877   出願人：京セラ株式会社