特許

J-GLOBAL ID：200903053799801452

気相成長装置

発明者： 中野 智郁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-182752
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244110
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】有機金属とハイドライドガスの混合による中間反応を低減させ、かつ両ガスの分布を均一化させて、量産性の優れた結晶を成長させる気相成長装置を得る。【構成】気相成長装置の反応部2では有機金属導入ポート9とハイドライドガス導入ポート8を持ち、それぞれのポートは半導体ウェファー6の直前まで混合させず、その出口にはそれぞれディフューザ11,12が設けられている。このディフューザ11,12の穴14,15の総面積比は有機金属ガスの出口流速がハイドライドガスの出口流速の1〜1.5倍となるようにし、さらに両ガスの周囲に水素,窒素又は不活性ガスを供給するための導入ポート10を持つことにより、中間反応を起こさず、均一性が良く量産性の優れた結晶を成長できるようになった。

請求項（抜粋）：

有機金属を含むガスとハイドライドガスが別々に供給され、且つ半導体ウェファー直前まで合流しないようにされたガス導入ポートと、該ガス導入ポートから導入された前記有機金属を含むガスと前記ハイドライドガスの前記半導体ウェファー上への供給状態を制御する多数の小さな穴を有した邪魔板と、前記ガス導入ポートから導入された前記有機金属を含むガスと前記ハイドライドガスとの流れの周囲に水素,窒素又はその他不活性ガスを流すためのガス供給ポートとを有することを特徴とする気相成長装置。