特許
J-GLOBAL ID：200903053810353017
半導体受光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085783
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291604
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 半絶縁性のInP基板を用い作製され、応答速度の改善が図れかつ配線電極の段切れが生じにくい構造を持つ半導体受光素子を提供すること。【構成】 半絶縁性のInP基板61上に、n型InPバッファ層63、n- 型InAsP光吸収層65、一部にp型拡散領域69を有するn- 型InPウインド層67をこの順に具える。p型拡散領域の所定部分上にp側電極71を具える。ウインド層の、p型拡散領域から離れた所定領域上に絶縁膜73a,73bを介しp側配線電極75、n側配線電極77を具える。p型拡散領域周辺とp側配線電極形成領域とを個別に取り囲む溝79でウインド層表面から基板61に至る深さの溝を具える。p側配線電極とp側電極とを溝79上を渡る空間配線83によって接続してあり、n側配線電極とp側電極81とを溝79上を渡る空間配線85によって接続してある。
請求項（抜粋）：
半絶縁性のInP基板上に、n型InP層と、InGaAs光吸収層と、一部にp型拡散領域を有するn- 型InP層とをこの順に具え、前記p型拡散領域の所定部分上にp側電極を具え、前記n- 型InP層の、前記p型拡散領域から離れた所定領域上に、絶縁膜を介しp側配線電極を具え、該p側配線電極形成領域下の前記n- 型InP層部分及びn型InP半導体層部分を残りのn- 型InP層部分及びn型InP層部分から電気的に分離するため、前記n- 型InP半導体層表面から前記InP基板に至る深さの溝を用いた分離構造を具え、前記p側配線電極と前記p側電極とを、前記溝上を渡る空間配線によって接続してあることを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
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