特許

J-GLOBAL ID：200903053810973180

成膜装置及び成膜方法

発明者： 前田 和夫 ,  大平 浩一 ,  西本 裕子
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007895
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111261
出願日： 1994年01月27日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明は反応ガスをプラズマ化することで活性化してCVD法(化学気相成長法)により絶縁膜等を形成する膜形成方法に関し、簡単な装置構成で、膜質のよい絶縁膜を形成することができる膜形成方法を提供する。【構成】 第1の反応ガスに電磁波を放射し、かつ磁場を印加して第1の反応ガスからなるヘリコンモードのプラズマを発生させ、第2の反応ガスをプラズマにより活性化し、基板を電圧によりバイアスし、活性化した第1の反応ガスと第2の反応ガスとを反応させて基板上に膜を形成することを含む。

請求項（抜粋）：

ヘリコンモードのプラズマを生成するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に第1の反応ガスを導入する第1の反応ガス導入管と、前記プラズマ生成室内に電磁波を放射して前記第1の反応ガスを活性化する、前記プラズマ生成室の周囲に設けられたアンテナと、前記プラズマ生成室内に磁場を形成する、前記プラズマ生成室の周囲に設けられたソースソレノイドと、前記プラズマ生成室に接続された成膜室と、前記プラズマ生成室内及び前記成膜室内を排気する排気口と、成膜される基板を保持する、前記成膜室内に設けられた基板保持具と、前記基板保持具の上方に第2の反応ガスを導き、前記第2の反応ガスを基板保持具上の基板表面に放出する第2の反応ガス導入管とを有する成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-166971
  
• プラズマ処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-091813   出願人：日電アネルバ株式会社