特許

J-GLOBAL ID：200903053813726736

半導体基板およびその製造方法

発明者： 富山 能省 ,  白石 浩之
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  財団法人地球環境産業技術研究機構
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-345159
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183231
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 完全なオーミック性を有する電極を形成することができる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。【構成】 単結晶シリコン基板1を準備する。この単結晶シリコン基板1上に3C構造の単結晶炭化ケイ素層2をエピタキシャル成長させる。この単結晶炭化ケイ素層2上に炭素層を形成する。この後、熱処理を施す。この結果、上記炭素層3は熱酸化され、熱酸化層4が形成される。次に、この熱酸化層4をHF液にて処理して除去する。この直後に、真空蒸着法により、Ni電極層5を形成する。そして、Ni電極層5,5間の電流-電圧特性を調べると、完全な直線になる。したがって、Ni電極層5のオーミック性は完全なものである。

請求項（抜粋）：

単結晶炭化ケイ素層を有する半導体基板において、上記単結晶炭化ケイ素層上には、該単結晶炭化ケイ素層の表面部の変質を防止する保護層が形成されることを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C01B 31/36 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-224225
  
• 特開平2-125877
  
• 特開昭59-219929
  
• 特開平4-114995