特許
J-GLOBAL ID：200903053814891161
固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007351
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211879
出願日： 1994年01月27日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 個々のフォトダイオードの暗電流特性を均一化し、固定パターン雑音を低減して欠陥画素等を生じ難くすることができ、しかも外部補正回路を簡略化して画像表示の時間遅れを生じ難くすることができる。【構成】各フォトダイオード1のpn接合4の周囲を覆うように半導体層2,3上に形成された表面保護絶縁膜5,6と、該pn接合4周囲の該半導体層/表面保護絶縁膜界面10の表面ポテンシャル電位を中和するための電荷を注入するとともに、該pn接合4周囲上で、かつ該表面保護絶縁膜5,6上に形成された第1の電極9と、該第1の電極9から注入してきた電荷を保持するとともに、該pn接合4周囲上で、かつ該表面保護絶縁膜5,6内に形成された第2の電極11とを有する。
請求項（抜粋）：
複数個の光を検知し、かつp型半導体層(2)とn型半導体層(3)から構成されるフォトダイオード(1)と、各フォトダイオード(1)の電気信号を電子走査によって読み出す信号処理回路とを有する固体撮像素子において、該各フォトダイオード(1)のpn接合(4)の周囲を覆うように該半導体層(2,3)上に形成された表面保護絶縁膜(5,6)と、該pn接合(4)周囲の該半導体層/表面保護絶縁膜界面(10)の表面ポテンシャル電位を中和するための電荷を注入するとともに、該pn接合(4)周囲上で、かつ該表面保護絶縁膜(5,6)上に形成された第1の電極(9)と、該第1の電極(9)若しくは半導体層(2,3)から注入してきた電荷を保持するとともに、該pn接合(4)周囲上で、かつ該表面保護絶縁膜(5,6)内に形成された第2の電極(11)とを有することを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H01L 31/10 A
