特許
J-GLOBAL ID：200903053817868659
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014311
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221405
出願日： 1994年02月08日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 部品点数を増加させることなく、かつ、組み立て工数を増加させることなくサージ電流対策ができる半導体レーザ装置を提供する。【構成】 セラミック誘電体部2とセラミック誘電体部2を挟む電極3,4を含むセラミックコンデンサチップC1と、半導体レーザチップ1とを備え、半導体レーザチップ1の電気的接続を要する一方の面がシリコンサブマウント基台5を介して電極3に固定されて電気的に接続されている。【効果】 駆動回路からのサージ電流を吸収するセラミックコンデンサチップC1が半導体レーザチップ1と一体である。
請求項（抜粋）：
誘電体部とこの誘電体部を挟む電極を含むセラミックコンデンサチップと、半導体レーザチップとを備え、上記半導体レーザチップの電気的接続を要する一方の面が上記セラミックコンデンサチップの一方の電極に電気的に接続されるように、上記一方の電極に上記半導体レーザチップがマウントされており、上記半導体レーザチップの電気的接続を要する他方の面が上記セラミックコンデンサチップの他方の電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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特開昭61-119051
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特開昭62-045193
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特開昭62-130585
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