特許
J-GLOBAL ID：200903053820271272
化合物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-207204
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055560
出願日： 1995年08月14日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】 良質で厚膜のクラッド層を形成して、量産性に優れ、電気特性および光学特性が良好な半導体レーザおよび発光ダイオードを実現する。【解決手段】 n型下部クラッド層4中に薄層のAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x≦1)緩衝層5が形成され、p型上部クラッド層7中に薄層のAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x≦1)緩衝層8が形成されている。n型Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0<y<1)クラッド層4a/Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x≦1)緩衝層5を繰り返して成長し、p型Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0<y<1)クラッド層7a/Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x≦1)緩衝層8を繰り返して成長することにより、下部クラッド層4および上部クラッド層7を約1μm成長できる。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも下部クラッド層と、活性層または発光層と、上部クラッド層とが基板側からこの順に形成され、該下部クラッド層中および上部クラッド層中に、緩衝層が単層または複数層形成されている化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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