特許

J-GLOBAL ID：200903053822681028

低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材

発明者： 中 島 昭 ,  井 上 一 昭 ,  籐 内 篤 ,  小 松 通 郎
出願人/特許権者： 触媒化成工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213344
公開番号（公開出願番号）：特開平11-050007
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：

【要約】【課題】 比誘電率が低く、しかも被塗布面との密着性、機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性に優れるとともに、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成でき、かつ被塗布面の凹凸を高度に平坦化し得るような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液を提供すること。【解決手段】 (i)ポリエーテル変性シリコーンオイルと、(ii)XnSi(OR)4-nで表されるアルコキシシランまたはXnSiX'4-nで表されるハロゲン化シランの加水分解物との反応物を含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。(Xは水素原子、フッ素原子または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を示し、Rは炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を示し、X'は塩素原子、臭素原子を示し、nは0〜3の整数である。)

請求項（抜粋）：

(i)ポリエーテル変性シリコーンオイルと、(ii)下記一般式[1]で表されるアルコキシシランまたは下記一般式[2]で表されるハロゲン化シランの加水分解物との反応物を含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。XnSi(OR)4-n ...[1]XnSiX'4-n ...[2](式中、Xは水素原子、フッ素原子または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を示し、Rは炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を示し、X'は塩素原子、臭素原子を示し、nは0〜3の整数である。)

IPC (5件)：

C09D183/06 ,  C08L 83/06 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 ,  H05K 3/46

FI (5件)：

C09D183/06 ,  C08L 83/06 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 G ,  H05K 3/46 T