フォトマスク及び製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187730
公開番号（公開出願番号）：特開2001-027801
出願日： 1990年12月26日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【目的】回路パターンのエッジ部と中央部とで光の透過率を異ならせる。【構成】マスク基板G上に透過率の異なる2つの層A,Bを成膜し、層Bのうち回路パターンのエッジ部2に相当する部分の層をエッチング等により除去して、回路パターンの中央部1のみを多層構造とする。この2つの層A,Bは、化学的性質の異なる材質で形成される。【効果】回路パターンの像の中央部に生じる光強度が減少し、像のコントラストが向上する。

請求項（抜粋）：

照明光に対してほぼ透明な基板上に回路パターンを形成したフォトマスクにおいて、前記回路パターンの少なくとも一部は、前記照明光に対して透過率を有する第1の層で形成され、前記透明な基板上において前記第1の層で形成された前記回路パターンの周辺に設けられて前記回路パターンの形成領域を規定する遮光帯を、前記照明光に対する透過率がほぼ零となるように前記第1の層に第2の層を重ねることによって形成したことを特徴とするフォトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G03F 1/14 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 K , G03F 1/14 F , H01L 21/30 502 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-223464
特開平4-223464
特開平4-223464

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