特許

J-GLOBAL ID：200903053824627217

対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセル

発明者： トーマス・シー・アンソニー ,  マノイ・ケイ・バタチャーヤ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019744
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267523
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセルを提供する。【解決手段】 本発明の磁気メモリセルは、センス層(52)と、センス層(52)にバリア層を介して結合されているリファレンス層(50)と、付加的なリファレンス層(54)と、この付加的なリファレンス層(54)が、付加的なリファレンス層(54)からの反磁界と結合磁界とのセットが、リファレンス層(50)からの反磁界と結合磁界とのセットと釣り合うように、センス層(52)にスペーサ層(60)を介して結合されていることと、からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

センス層(52)と、前記センス層(52)にバリア層を介して結合されているリファレンス層(50)と、付加的なリファレンス層(54)と、この付加的なリファレンス層(54)が、当該付加的なリファレンス層(54)からの反磁界と結合磁界とのセットが、前記リファレンス層(50)からの反磁界と結合磁界とのセットと釣り合うように、前記センス層(52)にスペーサ層(60)を介して結合されていることと、からなる磁気メモリセル。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低切替磁界磁性トンネル接合
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-560586   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド