特許

J-GLOBAL ID：200903053830845005

半導体発光素子

発明者： 佐野 雅彦
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-069277
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259970
出願日： 2004年03月11日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 正電極として半導体膜を用いるとともに、p型コンタクト層の表面に凹凸を形成することにより、活性層から放出された光の取り出し効率を改善することができ、さらに、基板の反り等を防止し、p型コンタクト層と正電極とのオーミック性を向上させて、動作電圧を低減させることができる半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 p型半導体層の上に、p型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、前記p型コンタクト層の表面に凹凸が形成されてなり、かつ、前記正電極が、亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む半導体膜からなる半導体発光素子。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

p型半導体層の上に、p型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、 前記p型コンタクト層の表面に凹凸が形成されてなり、かつ、前記正電極が、亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む半導体膜からなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-337448   出願人：シャープ株式会社
• 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-014390   出願人：星和電機株式会社