撮像装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 濱田百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-278960
公開番号（公開出願番号）：特開2006-094263
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】良好な画像データを得ることが可能な撮像装置を提供する。【解決手段】半導体基板上方に3つ積層される2つの透明電極膜によって挟まれた光電変換膜13,18,23と、半導体基板に形成される信号読出回路3,5,7とを有し、光電変換膜13,18,23の各々に蓄積される信号電荷に応じた信号を信号読出回路3,5,7によって外部に読み出す光電変換膜積層型固体撮像素子100を含む撮像装置であって、光電変換膜13,18,23は、2つの透明電極膜間に印加されるバイアス電圧Vb(B),Vb(G),Vb(R)によって信号電荷の流れ出す量を制御可能であり、この撮像装置は、2つの透明電極膜間に印加するバイアス電圧を制御して、光電変換膜13,18,23の各々から流れ出す信号電荷の量を調節する信号電荷量調節手段を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上方に少なくとも1つ積層される2つの透明電極膜によって挟まれた光電変換膜と、前記半導体基板に形成される信号読出回路とを有し、前記光電変換膜に蓄積される信号電荷に応じた信号を前記信号読出回路によって外部に読み出す光電変換膜積層型固体撮像素子を含む撮像装置であって、前記光電変換膜は、前記2つの透明電極膜間に印加されるバイアス電圧によって前記信号電荷の流れ出す量を制御可能であり、前記2つの透明電極膜間に前記バイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記2つの透明電極膜間に印加する前記バイアス電圧を制御して、前記光電変換膜から流れ出す前記信号電荷の量を調節する信号電荷量調節手段とを備える撮像装置。

IPC (3件)：

H04N 5/335 , H04N 9/07 , H01L 27/146

FI (4件)：

H04N5/335 E , H04N5/335 U , H04N9/07 A , H01L27/14 E

Fターム (24件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118CA15 , 4M118CA27 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118FA06 , 4M118GB15 , 5C024CX03 , 5C024CX41 , 5C024CX54 , 5C024CY47 , 5C024DX01 , 5C024GX01 , 5C024GY31 , 5C024HX01 , 5C065AA01 , 5C065BB02 , 5C065BB22 , 5C065BB42 , 5C065CC01 , 5C065DD17

引用特許：

出願人引用 (1件)

固体撮像素子及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-377571 出願人：ソニー株式会社

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