半導体素子のフィールド酸化膜製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-360768
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209268
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】フィールド酸化膜未成長現象を解決し、フィールド酸化膜シンニング現象及びゲート酸化膜の電気的な劣化問題をも同時に解決する半導体素子のフィールド酸化膜製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上部にパッド酸化膜、窒化膜を順次形成する工程と、フィールド領域の窒化膜とパッド酸化膜をエッチングする工程と、前記エッチングされた窒化膜とパッド酸化膜の両側壁に窒化膜スペーサーを形成する工程と、前記フィールド領域の半導体基板を所定深さにリセスする工程と、1000°C以下の低温で前記フィールド領域の露出された前記半導体基板を酸化させ第1フィールド酸化膜を形成する第1フィールド酸化工程と、1050°C以上の高温で前記第1フィールド酸化膜が形成されている部分の前記半導体基板を酸化させ、第2フィールド酸化膜を形成する第2フィールド酸化工程とから構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上部にパッド酸化膜、窒化膜を順次形成する工程と、フィールド領域の窒化膜とパッド酸化膜をエッチングする工程と、前記エッチングされた窒化膜とパッド酸化膜の両側壁に窒化膜スペーサーを形成する工程と、前記フィールド領域の半導体基板を所定深さにリセスする工程と、1000°C以下の低温で前記フィールド領域の露出された前記半導体基板を酸化させ第1フィールド酸化膜を形成する第1フィールド酸化工程と、1050°C以上の高温で前記第1フィールド酸化膜が形成されている部分の前記半導体基板を酸化させ、第2フィールド酸化膜を形成する第2フィールド酸化工程とから構成されることを特徴とする、半導体素子のフィールド酸化膜製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 21/306 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/76 N , H01L 21/306 Q , H01L 21/94 A

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