特許
J-GLOBAL ID:200903053839663228
半導体記憶装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小池 隆彌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-082779
公開番号(公開出願番号):特開2000-276349
出願日: 1999年03月26日
公開日(公表日): 2000年10月06日
要約:
【要約】【課題】 読み出し専用半導体記憶装置内に記憶された情報に、誤り或いは更新の必要性が生じた場合の救済や情報の更新を実施するための手段として、不揮発性半導体記憶装置を用いて、情報の置き換えを自動的に実施する、高速で、且つ低消費電力の半導体記憶装置の提供。【解決手段】 読み出し専用半導体記憶装置1と、読み出し専用半導体記憶装置1に修正が生じた領域(置き換えROM領域)11-aのアドレスデータ及び読み出し専用半導体記憶装置1に修正が生じた領域11-aのデータを修正する修正データを、それぞれ、電気的に書き込み可能な記憶部21ーeに格納し、格納された前記アドレスデータと外部から供給されるアドレス4とを比較して、アドレス判定回路21-aにより判定結果信号3を出力する不揮発性半導体記憶装置2とを備え、前記アドレスが一致した場合、前記判定結果信号3に基づいて、読み出し専用半導体記憶装置1を非活性にし、読み出し専用半導体記憶装置1に修正が生じた領域11-aのデータを、不揮発性半導体記憶装置2の記憶部21-eに格納された前記修正データに置き換えて出力する。
請求項(抜粋):
読み出し専用半導体記憶装置と、前記読み出し専用半導体記憶装置に修正が生じた領域のアドレスデータ及び前記読み出し専用半導体記憶装置に修正が生じた領域のデータを修正する修正データを、それぞれ、電気的に書き込み可能な記憶部に格納し、格納された前記アドレスデータと外部から供給されるアドレスとを比較して、アドレス判定部により判定結果信号を出力する不揮発性半導体記憶装置とを備え、前記アドレスが一致した場合、前記判定結果信号に基づいて、前記読み出し専用半導体記憶装置を非活性にし、前記読み出し専用半導体記憶装置に修正が生じた領域のデータを、前記不揮発性半導体記憶装置の記憶部に格納された前記修正データに置き換えて出力することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (5件):
G06F 9/06 540
, G06F 12/06 520
, G06F 12/16 310
, G11C 16/06
, G11C 29/00 607
FI (5件):
G06F 9/06 540 N
, G06F 12/06 520 E
, G06F 12/16 310 P
, G11C 29/00 607
, G11C 17/00 639 Z
Fターム (25件):
5B018GA03
, 5B018HA25
, 5B018HA26
, 5B018LA07
, 5B018NA06
, 5B018QA13
, 5B025AA00
, 5B025AB00
, 5B025AC00
, 5B025AD00
, 5B025AD01
, 5B025AD14
, 5B025AE00
, 5B025AE06
, 5B025AE10
, 5B060AA08
, 5B060AA13
, 5B060AC11
, 5B060MM02
, 5B060MM14
, 5B076EB06
, 5L106AA07
, 5L106CC09
, 5L106CC34
, 5L106FF05
引用特許:
審査官引用 (4件)
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電子装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-275199
出願人:ソニー株式会社
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特開平1-150297
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特開平1-150297
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