特許

J-GLOBAL ID：200903053841193166

熱処理装置およびこれを用いたシリコン酸化膜の形成方法

発明者： 鈴木 篤
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-089535
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297178
出願日： 1994年04月27日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 従来のドライ酸化とウェット酸化の長所を採り入れた熱処理装置を構成し、これを用いて初期歩留り(TZDB特性)、経時的信頼性(TDDB特性)に優れる極薄シリコン酸化膜を制御性良く形成する。【構成】 石英チューブ3内のウェハWをランプ2で加熱するRTO(急速熱処理)装置の基本構成に、該石英チューブ3内に高温水蒸気を供給するための外部燃焼装置14と、塩素を供給するためのHCl供給管8を付加し、塩素を含む湿潤雰囲気下でSiウェハの表面にシリコン酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板を収容するチャンバと、前記基板に吸収される波長の光を放出することにより該基板を加熱するランプと、前記チャンバ内へ水蒸気を供給する水蒸気供給手段と、前記チャンバ内へハロゲンを供給するハロゲン供給手段とを備え、前記基板に対してハロゲン添加湿潤雰囲気下で急速熱処理を行うようになされた熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316