特許
J-GLOBAL ID:200903053843082671

二次電子増倍装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-021352
公開番号(公開出願番号):特開2000-223008
出願日: 1999年01月29日
公開日(公表日): 2000年08月11日
要約:
【要約】【課題】 取り扱いの自由度が高く、生産性に優れ、良好な特性を再現性良く得られる二次電子増倍装置を提供する。【解決手段】 基体上に電気化学的手法によって酸化亜鉛粒子を形成する。
請求項(抜粋):
基体上に電気化学的手法によって酸化亜鉛粒子を形成してなることを特徴とする二次電子増倍装置。
IPC (4件):
H01J 1/32 ,  H01J 43/10 ,  H01J 43/24 ,  C23C 18/16
FI (4件):
H01J 1/32 A ,  H01J 43/10 ,  H01J 43/24 ,  C23C 18/16 Z
Fターム (13件):
4K022AA03 ,  4K022AA33 ,  4K022AA41 ,  4K022BA15 ,  4K022BA25 ,  4K022BA33 ,  4K022CA02 ,  4K022CA03 ,  4K022CA05 ,  4K022CA06 ,  4K022DA01 ,  5C038BB02 ,  5C038BB06

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