特許

J-GLOBAL ID：200903053844485389

ドーピングされた相変化層を備える相変化メモリ素子およびその動作方法

発明者： 盧 振 瑞 ,  金 基 俊 ,  姜 閏 浩 ,  申 雄 ▲てつ▼ ,  除 東 碩
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (6件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-176477
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016850
出願日： 2007年07月04日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：

【課題】ドーピングされた相変化層を備える相変化メモリ素子およびその動作方法を提供する。【解決手段】相変化層を備えるストレージノードとスイッチング素子と、を備える相変化メモリ素子であって、前記相変化層が、Inを含み、前記Inの含有量(a1)が、5at%<a1<15at%である、相変化メモリ素子およびその動作方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

相変化層を備えるストレージノードとスイッチング素子と、を備える相変化メモリ素子であって、 前記相変化層が、Inを含み、 前記Inの含有量(a1)が、5at%<a1<15at%である、相変化メモリ素子。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  G11C 13/00

FI (2件)：

H01L27/10 448 ,  G11C13/00 A

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083NA08