特許
J-GLOBAL ID:200903053848430147

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-361673
公開番号(公開出願番号):特開2007-165693
出願日: 2005年12月15日
公開日(公表日): 2007年06月28日
要約:
【課題】半導体チップに複数の半導体素子が形成されている半導体装置において、従来の半導体装置と比較して、半導体チップの面積を縮小できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップの表面に平行な面方向において、パワー素子領域aよりも領域が狭い制御回路素子領域bがパワー素子領域aと完全に重複するように、半導体チップの内部に、絶縁分離されたパワー素子領域aを有する第1のSOI層4と、絶縁分離された制御回路素子領域bを有する第2のSOI層7とを、半導体チップの表面に垂直な方向に並んで配置させる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
半導体チップ(1)の内部に、第1の半導体素子が形成されている第1の素子領域(a)および前記第1の素子領域を絶縁分離する第1の絶縁手段(3、8)を有する第1の半導体層(4)と、第2の半導体素子が形成されている第2の素子領域(b)および前記第2の素子領域を絶縁分離する第2の絶縁手段(6、11)を有する第2の半導体層(7)とが、前記半導体チップ(1)の表面に平行な面方向で、前記第1の素子領域(a)と前記第2の素子領域(b)が重複するように、前記半導体チップ(1)の表面(1a)に垂直な方向に並んで配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (13件):
H01L 27/00 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (12件):
H01L27/00 301B ,  H01L27/00 301W ,  H01L27/00 301H ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/06 321C ,  H01L27/08 102E ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 L ,  H01L27/06 101U ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 F ,  H01L21/88 J
Fターム (78件):
5F032AA03 ,  5F032AA06 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032AA47 ,  5F032AA69 ,  5F032AA77 ,  5F032AA84 ,  5F032AC02 ,  5F032AC03 ,  5F032BA01 ,  5F032BA05 ,  5F032BB01 ,  5F032BB06 ,  5F032BB08 ,  5F032CA03 ,  5F032CA11 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032DA02 ,  5F032DA07 ,  5F032DA23 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA71 ,  5F032DA78 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK08 ,  5F033MM30 ,  5F033XX22 ,  5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048AC07 ,  5F048BA09 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF03 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BF18 ,  5F048BG05 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048CA04 ,  5F048CA06 ,  5F048CA07 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F082AA04 ,  5F082AA08 ,  5F082AA19 ,  5F082AA24 ,  5F082AA36 ,  5F082BA05 ,  5F082BA06 ,  5F082BA10 ,  5F082BA47 ,  5F082BC04 ,  5F082BC09 ,  5F082DA03 ,  5F082DA05 ,  5F082DA09 ,  5F082DA10 ,  5F082EA13 ,  5F082EA50
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特許第2839088号公報

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