特許

J-GLOBAL ID：200903053852991528

マイクロ波発振器

発明者： 河▲崎▼ 義博 ,  大橋 洋二 ,  斉藤 民雄 ,  白川 和雄 ,  志村 利宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-123716
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334438
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 MMIC化したマイクロ波帯やミリ波帯用のマイクロ波発振器に関し、発振周波数を広範囲にわたり調整可能とする。【構成】 ゲート電極Gとソース電極Sとドレイン電極Dとを有するFET等の発振素子1と、ショットキーバリアダイオード2と、第1,第2のキャパシタ3,4と、誘導性ライン5と、整合回路6とを、Si,GaAs等の半導体基板に形成し、ゲート電極Gに整合回路6を介して出力端子を接続し、誘導性ライン5とショットキーバリアダイオード2との並列回路を、ソース電極S又はドレイン電極Dに接続し、誘導性ライン5のインダクタンス成分とショットキーバリアダイオード2の容量成分とにより並列共振回路を構成し、ショットキーバリアダイオード2に周波数調整用の電圧Vcを印加して、容量成分を変化させることにより発振周波数を調整する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極(G)とソース電極(S)とドレイン電極(D)とを有する発振素子(1)と、ショットキーバリアダイオード(2)と、第1,第2のキャパシタ(3),(4)と、誘導性ライン(5)と、整合回路(6)とを半導体基板上に形成し、前記ゲート電極(G)と発振信号の出力端子との間に前記整合回路(6)を接続し、前記誘導性ライン(5)と前記ショットキーバリアダイオード(2)とを含む並列回路を、前記発振素子(1)の前記ソース電極(S)又は前記ドレイン電極(D)に接続し、前記ショットキーバリアダイオード(2)に周波数調整の電圧を印加する為の端子を接続したことを特徴とするマイクロ波発振器。