特許
J-GLOBAL ID:200903053858895733

厚膜コンデンサおよびそのトリミング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-269206
公開番号(公開出願番号):特開平5-109576
出願日: 1991年10月17日
公開日(公表日): 1993年04月30日
要約:
【要約】【目的】 絶縁体基板上に上下電極にて形成された厚膜コンデンサのレーザートリミングが信頼性に優れ、実装密度を低下させることなくできる厚膜コンデンサを提供することを目的とする。【構成】 上記目的を達成するため、本発明は絶縁体基板1上に下部電極2を設け、この下部電極2上にレーザー光を反射する物質にて構成された反射層4を含む誘電体層3を設けた後、この誘電体層3の上に上部電極5を設けた厚膜コンデンサにおいて、YAGレーザーを用いて上部電極5を取り除くことを特徴とする厚膜コンデンサのトリミング方法である。
請求項(抜粋):
絶縁体基板上に設けた下部電極と、この下部電極上に下部電極と平行でどの電極とも接続されないでレーザー光を反射する物質からなる反射層を含む誘電体層と、この誘電体層上に前記下部電極と対向するように設けた上部電極とを備えたことを特徴とする厚膜コンデンサ。
IPC (2件):
H01G 4/06 101 ,  H01G 4/34
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開昭52-140861

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