特許
J-GLOBAL ID：200903053878176113
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
板垣 孝夫
, 森本 義弘
, 笹原 敏司
, 原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-359261
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173153
出願日： 2004年12月13日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】 パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体ウェーハの表面にパシベーション膜6を成長させた後にダイシングを行い、ダイシング後にパシベーション膜6を開口、もしくはパシベーション膜6を選択除去するために塗布する感光性樹脂12を除去することにより、パシベーション膜6上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体装置を形成した半導体ウェーハを個辺化する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置を形成中の半導体ウェーハ表面に膜を形成する工程と、
前記半導体装置を個辺化するためにダイシングを行う工程と、
ダイシング後に前記膜を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, H01L 21/768
, H01L 23/522
H01L21/78 P
, H01L21/90 J
, H01L21/78 Q
