特許

J-GLOBAL ID：200903053882626867

電力変換回路

発明者： 木ノ内 伸一 ,  大井 健史 ,  中武 浩 ,  浦壁 隆浩 ,  菊永 敏之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 村上 啓吾 ,  大岩 増雄 ,  児玉 俊英 ,  竹中 岑生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-133551
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305836
出願日： 2006年05月12日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

【課題】ボディーダイオードがその通電動作に起因してそのSiC半導体が結晶劣化や破壊を起こすことがなく安定した状態で動作するSiC半導体FETを備えた電力変換回路を得ることを目的とする。【解決手段】SiCショットキーバリアダイオード3の電流電圧特性-1に示すように、ダイオード電流Ioでのオン電圧V1を、SiC-MOSFET1のボディーダイオード2の通電開始電圧Vbdより低く設定する。SiC-MOSFET1に内蔵するボディーダイオード2が還流モード時に電流導通状態になることを阻止することが出来、SiC-MOSFET1の結晶の劣化と破壊を防ぎ安定した状態で動作するSiC-MOSFETを備えた電力変換回路を得ることが出来る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ボディーダイオードを有する炭化珪素半導体電界効果トランジスタ(以下、SiC半導体FETと称す)を備えた電力変換回路であって、 上記SiC半導体FETと逆並列に接続され、電流導通時のオン電圧が上記ボディーダイオードの通電開始電圧未満に設定された還流ダイオードを備えたことを特徴とする電力変換回路。

IPC (3件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/095

FI (2件)：

H01L27/06 102A ,  H01L29/80 E

Fターム (12件)：

5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02