特許
J-GLOBAL ID：200903053887238580
ITOスパッタリング用ターゲットの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039701
公開番号（公開出願番号）：特開平9-228036
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月02日
要約：
【要約】【課題】 枚葉式スパッタ装置に使用するのに好適な、理論密度の97%を超える十分に高密度で、かつ継ぎ目のない一体品の大面積ITO焼結ターゲットを安定して製造する方法を提供すること。【解決手段】 粒度分布から求めた平均粒径が0.8〜2μm、BET表面積が3〜5m2 /gである酸化インジウム粉末と粒度分布から求めた平均粒径が2μm以下の酸化すず粉末を用い、原料粉末を混合した後、乾式ボールミル処理を行い、次いでバインダーを添加してプレス成形を行い、得られた成形体を再び粉砕して粒度を整え、この粉末を用いてプレス成形し、得られた成形体を加圧酸素雰囲気中で1550°C以上の焼結温度で焼結し、この時成形体を焼結温度にまで加熱・昇温するに際し、室温〜800°Cまで昇温した後、一旦昇温を停止して800°Cに保持し、その後、800°C〜焼結温度にまで昇温する速度を1時間に350°C以上とすることを特徴とする、ITOスパッタリング用ターゲットの製造方法。
請求項（抜粋）：
酸化インジウムと酸化すずを主成分とするITOスパッタリング用ターゲットを製造するに際し、粒度分布から求めた平均粒径が0.8〜2μm、BET表面積が3〜5m2 /gである酸化インジウム粉末と粒度分布から求めた平均粒径が2μm以下の酸化すず粉末を用い、原料粉末を混合した後、乾式ボールミル処理を行い、次いでバインダーを添加してプレス成形を行い、得られた成形体を再び粉砕して粒度を整え、この粉末を用いてプレス成形を行い、得られた成形体を加圧酸素雰囲気中で1550°C以上1700°Cまでの焼結温度で焼結し、この時成形体を焼結温度にまで加熱・昇温するに際し、室温から800°Cまで昇温した後、一旦昇温を停止して800°Cに保持し、その後、800°Cから焼結温度にまで昇温する速度を1時間に350°C以上とすることを特徴とする、ITOスパッタリング用ターゲットの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, C04B 35/00 R
