特許
J-GLOBAL ID：200903053898159649
多層配線を有する電子装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128890
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330236
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 ヴィアホールを有する多層配線構造のエレクトロマイグレーション耐性を向上させつつ、製造工程中に配線中のボイドが形成されないようにする。【解決手段】 ヴィアホールをAl-Cu層110で埋め込んだ構造において、ヴィアホール底部にはAl3Ti層111以外の異種金属層を実質的に設けていない。Al3Ti層111は、エレクトロマイグレーション時に、Al原子及びCu原子を通過させることができるので、ヴィアホール底部における下層配線と上層配線との界面で原子の流束勾配が小さくなり、エレクトロマイグレーション耐性が向上する。第2の絶縁層107上に形成されたTi層108とAl-Cu層110との間にはバリア効果の高いTiN層109を設けているため、第3の絶縁層113を形成する工程において、AlとTiとの反応は抑制され、ボイド等の発生が防止される。
請求項（抜粋）：
第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成された第1の下層配線と、前記下層配線を覆う第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層に設けられた接続孔と、前記第1の絶縁層上に形成され、前記接続孔を介して、前記下層配線に電気的に接続された上層配線と、前記上層配線を覆う第3の絶縁層とを備えた電子装置であって、前記上層配線の一部は、前記第2の絶縁層の前記接続孔を埋め込み、前記下層配線の表面に接触しており、前記上層配線は、前記第2の絶縁層上に形成された第1の導電性材料層と、前記第1の導電性材料層上に形成された第2の導電性材料層と、前記第2の導電性材料層上に形成された第3の導電性材料層とを含み、前記第2の導電性材料層は、前記第1の導電性材料層と前記第3の導電性材料層とが反応することを抑制するバリア層として機能するが、前記上層配線の前記一部が前記下層配線に接触する領域においては、前記上層配線を構成する原子および前記下層配線を構成する原子の移動に対してバリア層として実質的に機能しない厚さを有している、電子装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 23/522
, H05K 3/46
H01L 21/90 B
, H05K 3/46 N
, H01L 23/52 B
