特許
J-GLOBAL ID：200903053900158035
ボンディングパッドを備えた半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231846
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299467
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【構成】 ボンディングパッド89の表面に形成する不働態皮膜87を次のようにして形成している。オゾンが連続的に供給されている純水中にシリコン基板71を浸す。オゾンが連続的に供給されているので、純水中の溶存オゾン濃度を一定以上にすることができる。このため不働態皮膜形成速度をボンディングパッド89の主成分であるアルミニウムが溶けだす速度よりも速くすることができる。【効果】 ピンホールのない不働態皮膜を形成することができる。
請求項（抜粋）：
外部配線との電気的接続が行なわれる主表面を有するボンディングパッドを備えた半導体装置の製造方法であって、前記ボンディングパッドを前記半導体基板上に形成する工程と、前記主表面が露出するように、前記半導体基板上に表面保護膜を形成する工程と、前記半導体基板をO3 またはO2 のうち少なくともいずれか一方が連続的に供給された液体に浸し、前記主表面上に不働態皮膜を形成する工程と、を有するボンディングパッドを備えた半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301
, H01L 23/29
, H01L 23/31
