特許

J-GLOBAL ID：200903053900679205

半導体装置の製造方法

発明者： 中村 彰男
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-036976
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249677
出願日： 1994年03月08日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 1枚マスクにより深さの異なる溝を同一素子上に同時形成する。【構成】 第一絶縁膜4に幅の広い開口部5と幅の狭い開口部6を形成し、第一ポリシリコン膜7を堆積して異方性エッチングし、幅の狭い溝内部の開口部6に第一ポリシリコン層を残すと同時に、幅の広い溝内部の開口部5側壁にのみ第一ポリシリコン層を残す自己整合技術の適用により、1枚マスクにより深さの異なる溝を同一素子上に同時形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面に形成された異なる深さを有する溝を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板の一主面上に第一絶縁膜を形成する工程と、前記第一絶縁膜中に開口幅の異なる複数個の溝を形成する工程と、前記第一絶縁膜上に第一ポリシリコン膜を堆積して前記溝を充填する工程と、前記第一ポリシリコン膜を異方性エッチングして、前記第一絶縁膜の開口幅の狭い溝内部の全面に前記第一ポリシリコン層を残すと同時に、開口幅の広い溝内部の開口部側壁にのみ前記第一ポリシリコン層を残す工程と、前記第一絶縁膜を異方性エッチングして開口幅の広い溝内部の前記第一絶縁膜を除去する工程と、開口幅の狭い溝内部の前記第一ポリシリコン層および前記開口幅の広い溝開口部直下の前記半導体基板をエッチングする工程と、前記溝開口部の狭い開口部内の前記第一絶縁膜をエッチングする工程と、前記溝開口部内の前記半導体基板をエッチングする工程と、前記第一絶縁膜を全面エッチング除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。