特許
J-GLOBAL ID：200903053903718899
半導体発光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012476
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214747
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 静電気による発光素子の破壊を防止するとともに高さ方向の嵩を小さくしたコンパクトな半導体発光装置を提供する。【解決手段】 基板10に搭載した静電気保護用のツェナーダイオード6に、フリップチップ型の発光素子1を電極を逆極性で導通させて搭載し、発光素子1の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、ツェナーダイオード6には、発光素子1を搭載する素子搭載面と、この素子搭載面よりも低く段差状に形成されたワイヤ12接合用のボンディング面を形成し、ツェナーダイオード6をn型のシリコン基板とした場合であればp型半導体領域を所定の位置に拡散形成して、発光素子1との間を電気的に導通させる。
請求項（抜粋）：
静電気保護素子をリードフレームまたは基板等の基材の搭載面に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子を前記静電気保護素子の上面にp側及びn側の電極を逆極性で、マイクロバンプ等により電気的に接続した形で搭載し、前記半導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、前記静電気保護素子は、前記発光素子を搭載する素子搭載面と、この素子搭載面よりも低く段差状に形成した前記基材とワイヤ接合するためのボンディング面と、前記素子搭載面とボンディング面までにかけて配線した電極と、前記素子搭載面からボンディング面までにかけて拡散形成もしくは素子搭載面のみ拡散形成した拡散領域を含む半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01L 21/60 301
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 H
, H01L 21/60 301 N
