特許

J-GLOBAL ID：200903053907620958

化合物半導体結晶成長法

発明者： 竹内 隆 ,  永井 久隆
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192015
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023901
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 電子デバイスのさらなる性能向上、おもに電子移動度の向上のために、不純物の混入が少ない高純度な結晶を成長できる化合物半導体結晶成長法を提供する。【解決手段】 加熱した基板10上にIII 族およびV族原料ガス、ドーピング原料及び希釈用ガスを供給し、基板上に化合物半導体結晶を気相成長する気相エピタキシャル成長法において、III 族またはV族、またはその両方の原料ガス流量を変えて、結晶の成長速度(Gr)を制御するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

加熱した基板上にIII 族およびV族原料ガス、ドーピング原料及び希釈用ガスを供給し、基板上に化合物半導体結晶を気相成長する気相エピタキシャル成長法において、III 族またはV族、またはその両方の原料ガス流量を変えて、結晶の成長速度(Gr)を制御するようにしたことを特徴とする化合物半導体結晶成長法。

Fターム (19件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB11 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045BB08 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F045GB09