特許
J-GLOBAL ID：200903053908826924
シリコン単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-197139
公開番号（公開出願番号）：特開2004-035353
出願日： 2002年07月05日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】V/Gが一定になるようにシリコン単結晶棒の設定引上げ速度が設定され、この設定引上げ速度に一致するように実際の引上げ速度を精度良く制御し、これにより単結晶棒の直径変動を抑制する。【解決手段】ヒータ17により溶融されたシリコン融液13からシリコン単結晶棒24を引上げ、この引上げ中のシリコン単結晶棒の直径を所定時間毎に検出する。この検出出力をシリコン単結晶棒の引上げ速度及びヒータの温度にフィードバックすることにより、シリコン単結晶棒の直径を設定直径になるように制御する。引上げ速度を補正するためにヒータの温度の補正を行う際に、シリコン単結晶棒の実測直径の変化及び引上げ速度の変化を監視し、実測直径が設定直径の反対方向に変化しないようにヒータ温度を補正する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ヒータ(17)により溶融されたシリコン融液(13)からシリコン単結晶棒(24)を引上げ、この引上げ中のシリコン単結晶棒(24)の直径を所定時間毎に検出し、この検出出力を前記シリコン単結晶棒(24)の引上げ速度及び前記ヒータ(17)の温度にフィードバックすることにより前記シリコン単結晶棒(24)の直径を設定直径になるように制御するシリコン単結晶の製造方法において、
前記引上げ速度を補正するために前記ヒータ(17)の温度の補正を行う際に、前記シリコン単結晶棒(24)の実測直径の変化及び前記引上げ速度の変化を監視し、前記実測直径が前記設定直径の反対方向に変化しないように前記ヒータ(17)温度を補正することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/06 502J
, C30B15/26
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH04
, 4G077EH07
, 4G077EH09
, 4G077HA12
, 4G077PF04
, 4G077PF08
, 4G077PF16
