特許
J-GLOBAL ID:200903053913523115

透明導電膜及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-359290
公開番号(公開出願番号):特開2001-176334
出願日: 1999年12月17日
公開日(公表日): 2001年06月29日
要約:
【要約】【課題】 他層の熱劣化を生じない低温度域での熱処理を採用することができる表面に凹凸を持つ透明導電膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 表面に凹凸を持つ透明導電膜であって、酸化インジウム・酸化錫複合酸化物を含むアルコキシド溶液の液滴を基板8または透明導電層11の上に付着させ、該付着液滴を熱処理し加水処理することにより形成された透明導電性凸部9,12と、この透明導電性凸部および前記基板または前記透明導電層を覆うように物理的蒸着法を用いて積層形成された酸化インジウム・酸化錫複合酸化物からなる透明導電性被覆層10,13と、を具備する。
請求項(抜粋):
表面に凹凸を持つ透明導電膜であって、酸化インジウム・酸化錫複合酸化物を含むアルコキシド溶液の液滴を基板または透明導電層の上に付着させ、該付着液滴を熱処理し加水処理することにより形成された透明導電性凸部と、この透明導電性凸部および前記基板または前記透明導電層を覆うように物理的蒸着法を用いて積層形成された酸化インジウム・酸化錫複合酸化物からなる透明導電性被覆層と、を具備することを特徴とする透明導電膜。
IPC (4件):
H01B 5/14 ,  C23C 14/08 ,  H01L 29/43 ,  H01L 31/04
FI (4件):
H01B 5/14 A ,  C23C 14/08 D ,  H01L 29/46 Z ,  H01L 31/04 M
Fターム (18件):
4K029AA29 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029FA06 ,  4K029FA07 ,  4M104BB36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104FF13 ,  4M104GG20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA19 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC08

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