特許

J-GLOBAL ID：200903053913734019

セミカスタム半導体集積回路装置

発明者： 品川 徳明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-121193
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307067
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 ゲートアレイの多ピン化、かつ、パッド面積が縮小化される場合においても、そのデカップリングコンデンサの容量値を増やすことができるセミカスタム半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 多層配線を有するセミカスタム半導体集積回路装置において、未使用のボンディングパッド領域に、基板11上に下層絶縁層12が形成され、その上に下層配線層13がパターニングされ、その上を中間絶縁層14で覆っている。その上に中間配線層15をパターニングし、その上を上層絶縁層16で覆っている。さらに、上層絶縁層16上に上層配線層17をパターニングし、その上をパッシベーション膜18で覆うようにしている。そこで、下層配線層13には電源線VDDを接続し、中間配線層15には接地線GNDを接続し、上層配線層17には電源線VDDを接続し、デカップリングコンデンサを構成する。

請求項（抜粋）：

多層配線を有するセミカスタム半導体集積回路装置において、未使用のボンディングパッド領域に、3層以上の全配線層と該配線層の間の絶縁層から構成されるとともに、少なくとも、下層配線層に第1の電位を印加し、中間配線層に第2の電位を印加し、上層配線層に第1の電位または第3の電位を印加するコンデンサを具備することを特徴とするセミカスタム半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/88 Z