特許

J-GLOBAL ID：200903053922526445

日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法および日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子

発明者： 長南 武 ,  足立 健治
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (3件)： 阿仁屋 節雄 ,  油井 透 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-380376
公開番号（公開出願番号）：特開2004-210570
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】従来のITO等に比べて安価な日射遮蔽用材料が得られる日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法及びこの製造方法で製造された日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子を提供する。【解決手段】Inに対するSnの割合が40〜60at%となるように調合された錫化合物とインジウム化合物との粉末もしくは溶液、又は、Inに対するSnの割合が40〜60at%となるように調合されたインジウムと錫から成る水酸化物もしくは水和物のいずれか一方もしくは双方、を含む原料物質を不活性ガスのプラズマ中に供給することによって、In4Sn3O12複合酸化物微粒子を合成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Inに対するSnの割合が40〜60at%となるように調合された錫化合物とインジウム化合物との粉末もしくは溶液、又は、Inに対するSnの割合が40〜60at%となるように調合されたインジウムと錫から成る水酸化物もしくは水和物のいずれか一方もしくは双方、を含む原料物質を不活性ガスのプラズマ中に供給することによって、In4Sn3O12複合酸化物微粒子を合成することを特徴とする日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法。

IPC (1件)：

C01G19/00

FI (1件)：

C01G19/00 A