特許

J-GLOBAL ID：200903053930460984

基板上への炭素皮膜の生成方法及びそれによって得られた炭素皮膜を有する基板

発明者： パボル ハルクト ,  ペーター ヒュデック ,  イヴァイロ ダブリュー.ランゲロウ ,  ハンス ロエシュナー
出願人/特許権者： イー.エム.エス.イオネン-ミクロファブリカショーンズ ズィステーメ ゲーエムベーハー ,  ユニバーズィテート ゲゼームトクシューレ カッセル ,  ウスタフ ポチタコビッチ システモフ, スロベンスカ アカデミア フレト
代理人 (1件)： 吉田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-194696
公開番号（公開出願番号）：特開2000-073166
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2000年03月07日
要約：

【要約】【課題】 低い内部圧縮歪み又は内部引張り応力を有し、保存時には安定している炭素層を提供する。【解決手段】 炭素皮膜を生成するため、最低比率20%の窒素とスパッタガスとを含む混合気体において予め決められたガス圧で炭素スパッタターゲット(TG)からスパッタリングを実行することにより基板(SB)上に炭素が付着され、次いで基板(SB)は高真空下で100°Cを超える温度により熱処理される。こうして生成された炭素皮膜は、皮膜に対して実質的に垂直に伸長する繊維及び/或いは管構造を含んでいる。

請求項（抜粋）：

基板上に炭素皮膜を生成するために、- 最低比率20%の窒素とスパッタガスを含む混合気体の中で炭素スパッタターゲットからスパッタリングを行なうことにより、予め決められたガス圧で基板上に炭素が付着され、- 引き続いてその基板は高真空下で100°Cを超える温度によって熱処理を実行されることを特徴とする、基板上への炭素皮膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06

FI (2件)：

C23C 14/34 M ,  C23C 14/06 F