特許
J-GLOBAL ID：200903053930617123
荷電ビーム描画装置および描画方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-374992
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189262
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 高精度と高スループットを維持し、レジストヒーティングによる寸法変動を抑制する荷電ビーム描画装置および方法の提供を目的とする。【解決手段】 荷電ビーム描画装置50は、光学系10と制御系40とからなり、光学系10内は、電子銃6と電子ビームを集光する複数のレンズ7〜9、11、12とビームの形状を成形するアパーチャ17、18と、成形されたビームを照射する主副偏向器15、16と、ビームが描画される基板2と基板2を載置するステージ3とを有し、制御系40は各種ドライバ25〜28と制御部42と各種デコーダ23、24などからなる。制御部42はショットサイズ認識部30とセトリング時間決定部31と偏向制御部32とからなり、基板2のレジストヒーティングによる寸法変動が小さくなるよう、ショットサイズに応じたアンプのセトリング時間を設定し各種ドライバを制御している。
請求項（抜粋）：
基板に描画パタンを形成するために照射される荷電ビームを発生する荷電ビーム発生部と、前記基板に照射される荷電ビームのスポットパタンの大きさを選択的に異ならしめるように前記荷電ビームを成形する荷電ビーム成形部と、前記成形された荷電ビームのスポットパタンで前記基板を走査、照射する荷電ビーム照射部と、前記基板に第1のスポットパタンを照射し、次に第2のスポットパタンを照射するまでのセトリング時間を、前記第1のスポットパタンの大きさが大きいほど長く設定する制御部とを具備することを特徴とする荷電ビーム描画装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
G03F 7/20 504
, H01L 21/30 541 M
2H097AA03
, 2H097CA16
, 2H097HA03
, 2H097LA10
, 5F056CB03
, 5F056CC16
, 5F056DA10
