特許
J-GLOBAL ID:200903053934176547

半導体配線の構造

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-007473
公開番号(公開出願番号):特開平11-204576
出願日: 1998年01月19日
公開日(公表日): 1999年07月30日
要約:
【要約】【課題】 再配置配線材料にアルミニウムを使った場合、再配置・バンピング工程で不良となったウエファーを再生できなかった。【解決手段】 再配置配線材料の下地にクロムを使うことでクロムとアルミニウムのエッチング速度の差を使い、再配置・バンプ工程で不良になったウエファーが再生できるようになり、不良損失をカバーできるようになる。
請求項(抜粋):
半導体チップ上のオリジナルボンディングパッドを位置の異なる新ボンディングパッド位置に再配線する構造において、前記オリジナルボンディングパッドに接触する再配線の材料は、前記オリジナルボンディングパッドの材料よりもエッチング速度が速い材料で構成したことを特徴とする半導体配線の構造。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 301
FI (2件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 301 P

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