特許

J-GLOBAL ID：200903053935454508

結晶欠陥測定方法

発明者： 金田 寛
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320457
公開番号（公開出願番号）：特開平7-174742
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】単結晶半導体層中に生じる固有点欠陥やそれに起因する複合欠陥の測定方法に関し、固有点欠陥の濃度を測定すること。【構成】結晶試料に外部磁場を印加し、冷却しながら該結晶試料に超音波を通過させて、該結晶試料での超音波音速変化又は超音波吸収変化と結晶試料冷却温度との関係を測定することを含む。

請求項（抜粋）：

結晶試料(2)に外部磁場を印加し、冷却しながら該結晶試料(2)に超音波を通過させて、該結晶試料(2)での超音波音速変化又は超音波吸収変化と結晶試料冷却温度との関係を測定することを特徴とする結晶欠陥測定方法。

IPC (3件)：

G01N 29/18 ,  G01N 29/20 ,  H01L 21/66