特許
J-GLOBAL ID：200903053936027875
DRAMバスに接続可能な不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105554
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306195
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【課題】 DRAMバスへ直接的に接続可能な不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 RAS及びCASによるアドレスマルチプレクス方式を用いるEEPROMで、ピン配列をDRAM共通とし、その特有のリセットピンバーRST、レディ/ビジーピンR/バーB、消去ピンバーECはDRAMの未使用ピンに対応させて配置する。そして、DRAM共通の制御タイミングで読出動作を行い、また、DRAM共通の制御タイミングで書込データ入力を行った後にローアドレス信号の遷移に応じてメモリセルへの書込を行うリストアリング期間をもって書込動作を行うようにする。そして消去ピンの信号に応じてDRAMの動作に関せずにデータ消去動作を行う。これにより、DRAMバスへ直接的に接続可能となりバスを共用とすることができる。
請求項（抜粋）：
ロー及びカラムアドレスストローブ信号によるアドレスマルチプレクス方式を用いた電気的消去可能でプログラム可能な不揮発性半導体メモリ装置において、DRAMと共通のピン配列を有し且つ当該不揮発性半導体メモリ装置に特有の動作のために必要な機能ピンをDRAMの未使用ピンに対応配置させてあり、DRAM共通の制御タイミングにより読出動作を実施し、またDRAM共通の制御タイミングにより書込データ入力を行った後にローアドレスストローブ信号の遷移に応じて該書込データをメモリセルへ書込むリストアリング期間をもって書込動作を実施し、そして前記機能ピンのうちの消去ピンに印加される信号に応じてデータ消去動作を実施するようにして、DRAMバスと直接的に接続することが可能であることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 Z
, G11C 11/34 354 A
