特許

J-GLOBAL ID：200903053937147378

低いソース・インダクタンスを有する半導体デバイス

発明者： ロバート・ビー・デビ-ス ,  ロバート・ジエイ・ジヨンセン ,  フランシーヌ・ワイ・ロブ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-090051
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110080
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、低いソ-ス・インダクタンスを有するRFパワ-・デバイスを製作することを目的とする。【構成】 低いソ-ス・インダクタンスを有する半導体デバイスは、最大2つのソ-スがそれぞれ領域と結合することによって形成され、これは基板またはデバイスの背面と結合することを意味する。ソ-ス・コンタクトが背面にあるので、デバイスを接地されたヒ-トシンクに直接配置することが可能となる。

請求項（抜粋）：

第1導電性の基板10;前記基板10上に形成される第1導電性のエピタキシャル層12;前記エピタキシャル層12内部に形成され、第1導電性である複数個のチャネル領域;前記エピタキシャル層内部に形成され、第2導電性である複数個のソ-ス29aおよびドレイン29b領域;および前記エピタキシャル層12内部に形成され第1導電性である複数個の第1領域から構成され、前記複数個の第1領域と前記複数個のソ-ス領域は、オ-ミック導電性手段14を通じて結合されることを特徴とする半導体デバイス。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-273346