半導体装置用回路基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：綿貫隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-353399
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181369
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】均一な抵抗値を有する薄膜抵抗、均一な静電容量値を有する薄膜コンデンサを確実に形成でき、高周波用回路基板としても有効に使用できる回路基板を提供する。【構成】セラミック基板10の表面にタンタル層12あるいはアルミニウム層を薄膜形成し、該タンタル層12あるいはアルミニウム層を酸化処理することによって平滑表面の酸化タンタル層14あるいはアルミナ層を形成した後、該酸化タンタル層14あるいはアルミナ層を下地として薄膜抵抗16を形成する。ポリイミド等の電気的絶縁層に薄膜抵抗を形成することもできる。

請求項（抜粋）：

セラミック基板の表面にタンタル層あるいはアルミニウム層が薄膜形成され、該タンタル層あるいはアルミニウム層の表面に該タンタル層あるいはアルミニウム層が酸化処理されてなる酸化タンタル層あるいはアルミナ層が形成され、該酸化タンタル層あるいはアルミナ層を下地として薄膜抵抗又は薄膜コンデンサが形成されたことを特徴とする半導体装置用回路基板。

IPC (5件)：

H05K 1/03 , H01L 23/12 , H01L 23/12 301 , H05K 1/16 , H05K 3/38

FI (2件)：

H01L 23/12 B , H01L 23/12 Q

引用特許：

審査官引用 (30件)

特開昭58-056311
特開昭54-060449
特開昭63-053962

全件表示

前のページに戻る